Вследствие применения естественной коммутации вентилей НПП имеют низкий коэффициент мощности, который сильно зависит от нагрузки ГЭД. При регули­ровании выходного напряжения вниз от номинального значения он резко понижается. Например, на атомных ледоколахтипа "Таймыр" номинальное значение коэф­фициента мощности НПП составляет 0,7. Надо иметь в виду, что в ГЭУ установлены ГЭД синхронного типа с номинальным коэффициентом мощности, равным 1,0. При мощности ГЭД ниже 0,1 от номинальной величи­ны этот показатель понижается до 0,2-0,3 [3]] Коэффи­циент мощности становится еще меньше, если в ГЭУ установлены ГЭД асинхронного типа.

К серьезным недостаткам НПП следует отнести и существенное их влияние на качество питаемой элект­роэнергии, приводящее к повышению коэффициента нелинейных искажений. Известно, что на ледоколе "Тай­мыр" коэффициент нелинейных искажений на шинах ГЭУ достигает 17-18 %, а на шинах собственных нужд 14-15%.

Следует отметить и необходимость использования, в случае обращения к НПП, синхронных ГЭД специ­ального исполнения с изолированными фазами, а так­же разветвленной силовой схемы, вследствие чего воз­никает необходимость в использовании большего количества силовых вентилей и более сложной схемы управления. Кроме того, выходная частота НПП в боль­шинстве случаев ограничивается величиной порядка 1/2... 1/3 от входного значения.
Появление нового поколения полупроводниковых элементов, отличающегося высоким быстродействием и предельным значением коммутируемой мощности при очень малой мощности управления, существенно ме­няет ситуацию в преобразовательной технике.

Повышение номинальных параметров запираемых тиристоров и силовых транзисторов позволяет охватить практически весь мощностной диапазон регулируемо­го привода. Уже сейчас биполярные транзисторы с сзо­лированным затвором (IGBT) обеспечивают коммута­цию токов до 1200 А при напряжении до 3,5 кВт, а в ближайшем будущем и до 5-7 кВ. В связи с этим прак­тически снимается необходимость последовательно со­единять ключи, решая тем самым сопутствующие про­блемы. При этом время переключения транзисторов лежит в пределах200-400 не, прямое падение напря­жения у транзисторов 4-го поколения не превышает 1,2 В. Устойчивость к коротким замыканиям существенно упрощает задачу защиты преобразователей.

Появление IGBT-транзисторов стакими характери­стиками приводит к вытеснению традиционных (SCR) тиристоров из устройств мощностью до 1 МВт. В при­водах мощностью более 1 МВт находят применение запираемые (GTO) тиристоры с коммутируемым напря­жением свыше 4,5 кВ. Однако уже в ближайшем буду­щем в силовом приводе могут быть применены запира­емые вентили нового поколения, к которым следует