Лавинный пробой возникает, когда длина свободного пробега электрона в полупровод­нике значительно меньше толщины перехода. Если за время свободного пробега электроны накапливают кинетическую энергию, достаточную для ионизации атомов в переходе, то насту­пает ударная ионизация, сопровождающаяся лавинным размножением носителей зарядов.

Образовавшиеся в результате ударной ионизации свободные носители зарядов увеличивают обратный ток перехода.

Подводимая к переходу мощность Робр = /обр- ^обр расходуется на его нагрев. Выделяю­щаяся в запирающем слое теплота отводится преимущественно за счет теплопроводности кри­сталлической решетки. При плохих условиях отвода теплоты от перехода, а также при повы­шении обратного напряжения на переходе выше критического значения, возможен его разогрев до температуры, при которой происходит тепловая ионизация атсмов. Образующиеся при этом носители зарядов увеличивают обратный ток через переход, что приводит к его дальнейшему разогреву. В результате такого нарастающего процесса переход недопустимо разогревается и возникает тепловой пробой, характеризующийся разрушением кристалла.