В зависимости от области применения полупроводниковые диоды делят на следующие основные группы: выпрямительные,универсальные, импульсные, сверхвысокочастотные, ста­билитроны, варикапы, туннельные, обращенные, фотодиоды, светоизлучающие диоды, гене­раторы шума, магнитодиоды.

По конструктивному исполнению полупроводниковые диоды делятся на плоскостные и точечные, а по технологии изготовления на сплавные, диффузионные и эпитаксиальные (сле­дует понимать, что существует множество разных подвидов этих технологий). В плоскостных диодах электрический переход имеет линейные размеры значительно большие толщины само­го перехода. К точечным относят диоды, у которых размеры электрического перехода, опреде­ляющие его площадь, меньше толщины области объемного заряда. Такой диод образуется, на­пример, в месте контакта небольшой пластины полупроводника н острия металлической пружины (точечно-контактные диоды).

В технологии изготовления диодов определяющей является методика внесения приме­сей в полупроводник, а также способ соединения кристалла полупроводника с металлически­ми контактами. Существует большое количество возможных форм исполнения самых разно­образных переходов, которые обладают множеством разнообразных свойств.

Эти свойства могут использоваться для создания полупроводниковых диодов различного принципа действия и кон­струкции. Многие из таких диодов имеют свои нсторически-сложившиеся названия, которые могут характеризовать конструкцию диода, физический эффект, определяющий характеристи­ки диода, и т.д. (лавинно-пролетные диоды, туннельные диоды, диоды Шоттки, диода Ганна, варакторы, диоды с накоплением заряда, ...).Часто эти группы диодов отличаются областью применения и/или маркировкой.