Новейший тип энергонезависимой памяти - FRAM
Новейший тип энергонезависимой памяти - FRAM
Сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) фирмы RAMTRON - это новое поколение энергонезависимой памяти, которое объединяет высокую скорость записи/чтения и низкое энергопотребление со способностью сохранять данные при пропадании электропитания (без подпитки резервной батареей).
В отличие от EEPROM и Flash, которые имеют ограниченное число циклов записи и потребляют значительную мощность, FRAM записывает данные мгновенно, хранит их долго и потребляет очень малую мощность.
Микросхемы FRAM pin-for-pin совместимы с EEPROM Atmel, Microchip, Xicor, Fairchild и статическими ОЗУ (с батарейным питанием) ST, Dallas, Benchmarq.
FRAM с последовательным интерфейсом:
Основные характеристики:
• Стандартный промышленный 2-х проводный (I2C) или SPI интерфейс
• Нет задержки при записи, чтение и запись с быстродействием шины
• Длительный срок хранения данных: >10 лет (с Uпит=3В: не ограничено)
• Низкий ток покоя, для версии с Uпит=3В: 10 лет (с Uпит=3В: не ограничено)
• Низкий ток покоя: <20мкА
• Низкое энергопотребление, одинаковое при чтении и записи
• Рабочий диапазон температур: -4О...+85°С
Другие новости по теме:
Микросхемы памяти с последовательным доступомSTMicroelectronics представляет 32-Mбитную Flash память для применения в ци ...Цены на контроллеры AT89xМикросхемы AplusАТ90S (AVR)
|
|
НОВОСТИ
|
|
| Диоды с накоплением заряда
Лучшими импульсными характеристиками обладают некоторые специальные виды диодов, использующие разнообразные физические эффекты и свойства полупроводников для уменьшения времени переходных процессов, происходящих при переключении диода. К таким диодам в первую очередь относятся: диоды с накоплением заряда, диоды Шоттки, диоды Мотта. |
|
|
| Сырье и материалы используемые в производстве
Черный металл: лист стальной х/к, лента стальная х/к, катанка, проволока стальная.
Цветной прокат: лист латунный мягкий, п/тв, лента латунная, пруток латунный, проволока медная, аноды цинковые, олово 01, припой ПОС-40, ПОС-61, ПОСК 50-18. |
|
|
| Микросхемы памяти с последовательным доступом
АТ24
Ээлектрически стираемые микросхемы ПЗУ с двухпроводным интерфейсом I2C и 8-битной внутренней организацией. Количество циклов перезаписи — 1 миллион, время сохранения данных — не менее 100 лет. Емкость — от 1 Кбит до 1024 Кбит. |
|
|
| Микросхемы памяти с параллельным доступом
АТ27
Однократно программируемые микросхемы ПЗУ со стандартной цоколевкой. Емкость — от 256 Кбит до 8 Мбит. |
|
|
| АТ90S (AVR)
Быстродействующие 8-ми разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ памятью программ на кристалле, имеют диапазон напряжения питания от 2.7 до 6.0 В и небольшой потребляемый ток — типичное значение 3.5 мА на частоте 4 МГц в активном режиме при напряжении питания 3 В. |
|
|
| АТ91 (ARM7TDMI)
Высокопроизводительные 32-разрядные микропроцессоры, имеющие наилучшее в промышленности отношение производительность/потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот от 25 до 70 МГц при напряжении питания 2.7—3.6 В, есть модификация, работающая на частоте 12 МГц |
|
|
| ATF16V8 ATF20V8 ATF22V10
Модифицированное семейство популярных микросхем 16V8, 20V8, и 22V10, потребляющее в четыре раза меньшую мощность, имеющие «спящий» режим (standby power) и режим нулевой мощности (zero power). |
|
|
| ATF1500A
Базируется на улучшенной ФЛЭШ технологии, имеет максимальную задержку от 7.5 нс и выполняет регистровые операции на частотах до 125 МГц, есть возможность управления скоростью нарастания выходного сигнала. |
|
|
| АТ40К/LV
Совместимо по цоколевке с микросхемами семейств XC4000 и XC5200 фирмы XILINX, имеет емкость от 5000 до 40 000 вентилей, выпускается в корпусах PLCC, PGA,TQFP, uBGA. Каждый макроэлемент микросхем этого семейства прямое соединение с восемью окружающими макроэлементами, что повышает «разводимость» вследствие увеличенного количества межсоединений. |
|
|
| АТ89
Быстродействующие 8-разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ-памятью программ на кристалле, многократно перепрограммируемые, прямая замена микросхем Intel 8x51. |
|
| |
|
|
