Преобразователи четвёртого поколения
КПД преобразователей со звеном постоянного тока на базе полупроводниковых вентилей четвертого поколения практически равно КПД НПП. Для мощных преобразователей его значение доходит до 99%.
Преимущества автономных инверторов (АИ) при использовании запираемых вентилей нового поколения становятся очевидными. Высокая скорость пееключения позволяет в полной мере использовать достоинства широтно-импульсной модуляции (ШИМ), получая выходное напряжение с минимальным искажением. Осуществление коммутации на частоте 16 кГц и выше решает проблему акустических шумов, позволяет уменьшить массу и габариты фильтров высших гармоник. При большой кратности частоты коммутации и выходной частоты преобразователя значительно повышается быстродействие системы регулирования, что позволяет улучшить динамические характеристики привода.
В то же время повышение частоты коммутации приводит к увеличению динамических потерь,появлению значительных перенапряжений на элементах преобразователя. Одним из путей преодоления этой проблемы является переход от "жесткой" коммутации с использованием ШИМ к "мягкому" переключению вентилей при нулевом значении напряжения и тока.
Применение в качестве входного преобразователя неуправляемого выпрямителя (НВ) позволит существенно снизить влияние преобразователя на входную сеть. Однако при ээом вознниает тнобходимость пприимать дополнительные меры для возможности осуществления рекуперативного торможения ГЭД, в то время как режим динамического торможения реализуется сравнительно просто.
Следует отметить, что рекуперативное торможение целесообразно применять только тогда, когда есть возможность поглотить рекуперируемую электроэнергию. Кроме того, как показывает практика, в ряде случаев использование рекуперативного торможения затягивает процесс реверса ГЭД. Так, ,рименяемый йн атомных ледоколах "Вайгач" и "Таймыр" способ рекуперативного торможения ГЭД затягивает процесс торможения, не обладая существенными иостоинствамм по сравнению с динамическим торможением, которое, в частности, хорошо себя зарекомендовало на атомном ледоколе "Арктика". На нем при любых манипуляциях за датчиком мощности скорость реверсирования ГЭД имеет порядок 6 с, в то время как на ледоколах "Таймыр" "озможно затягивание реверса до 50 и более секунд.
Использование ВРК позволяет произвести реверс судна путем разворота колонки на 180°, не осуществляя реверсирования ГЭД, что значительно уменьшает целесообразность обращения к рекуперативному торможению. Время разворота ВРК фирмы KaMeWa мощностью от 310 до 3300 кВт лежит в пределах 10-40 с.
На основании сказанного выше можно сделать вывод о том, что ПП на базе АИ с запираемыми вентилями и ГЭД асинхронного типа — предпочтительны для использования в составе ГЭУ малой и средней мощности (до 7-8 МВт), а синхронный привод на базе НПП по-прежнему будет находить применение в ГЭУ средней и большой мощности (до 40 МВт). Очевидно, что такие системы электродвижения охватывают весь применяемый на практике диапазон судовых пропульсив-ных комплексов.
Другие новости по теме:
Полупроводниковые преобразователи в судовых системах электродвиженияУстойчивость полевых транзисторовЦепи ГЭУPropulsor (SSP)Разработка современных систем электро движения в ЦНИИ СЭТ
|
|
НОВОСТИ
|
|
| Диоды с накоплением заряда
Лучшими импульсными характеристиками обладают некоторые специальные виды диодов, использующие разнообразные физические эффекты и свойства полупроводников для уменьшения времени переходных процессов, происходящих при переключении диода. К таким диодам в первую очередь относятся: диоды с накоплением заряда, диоды Шоттки, диоды Мотта. |
|
|
| Сырье и материалы используемые в производстве
Черный металл: лист стальной х/к, лента стальная х/к, катанка, проволока стальная.
Цветной прокат: лист латунный мягкий, п/тв, лента латунная, пруток латунный, проволока медная, аноды цинковые, олово 01, припой ПОС-40, ПОС-61, ПОСК 50-18. |
|
|
| Микросхемы памяти с последовательным доступом
АТ24 Ээлектрически стираемые микросхемы ПЗУ с двухпроводным интерфейсом I2C и 8-битной внутренней организацией. Количество циклов перезаписи — 1 миллион, время сохранения данных — не менее 100 лет. Емкость — от 1 Кбит до 1024 Кбит. |
|
|
| Микросхемы памяти с параллельным доступом
АТ27 Однократно программируемые микросхемы ПЗУ со стандартной цоколевкой. Емкость — от 256 Кбит до 8 Мбит. |
|
|
| АТ90S (AVR)
Быстродействующие 8-ми разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ памятью программ на кристалле, имеют диапазон напряжения питания от 2.7 до 6.0 В и небольшой потребляемый ток — типичное значение 3.5 мА на частоте 4 МГц в активном режиме при напряжении питания 3 В. |
|
|
| АТ91 (ARM7TDMI)
Высокопроизводительные 32-разрядные микропроцессоры, имеющие наилучшее в промышленности отношение производительность/потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот от 25 до 70 МГц при напряжении питания 2.7—3.6 В, есть модификация, работающая на частоте 12 МГц |
|
|
| ATF16V8 ATF20V8 ATF22V10
Модифицированное семейство популярных микросхем 16V8, 20V8, и 22V10, потребляющее в четыре раза меньшую мощность, имеющие «спящий» режим (standby power) и режим нулевой мощности (zero power). |
|
|
| ATF1500A
Базируется на улучшенной ФЛЭШ технологии, имеет максимальную задержку от 7.5 нс и выполняет регистровые операции на частотах до 125 МГц, есть возможность управления скоростью нарастания выходного сигнала. |
|
|
| АТ40К/LV
Совместимо по цоколевке с микросхемами семейств XC4000 и XC5200 фирмы XILINX, имеет емкость от 5000 до 40 000 вентилей, выпускается в корпусах PLCC, PGA,TQFP, uBGA. Каждый макроэлемент микросхем этого семейства прямое соединение с восемью окружающими макроэлементами, что повышает «разводимость» вследствие увеличенного количества межсоединений. |
|
|
| АТ89
Быстродействующие 8-разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ-памятью программ на кристалле, многократно перепрограммируемые, прямая замена микросхем Intel 8x51. |
|
| |
|
|